SI6473DQ-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI6473DQ-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-TSSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.08W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 5V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 6.2A (Ta) |
SI6473DQ-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI6473DQ-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
SI6542DQ-T1 SI
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2024/04/13
2024/12/17
2024/05/21
SI6473DQ-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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