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Electro-Films (EFI) / Vishay SI6473DQ-T1-GE3
| Artikelnummer: | SI6473DQ-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI6473DQ-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI6473DQ-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min) Vgs (Max) ±8V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-TSSOP Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V Verlustleistung (max) 1.08W (Ta) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 5V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V detaillierte Beschreibung P-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.08W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.2A (Ta) SI6473DQ-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] SI6473DQ-T1-GE3 PDF - EN.pdf -
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